西克光電傳感器結構與分類

  其中，h表示普朗克常量，ν表示入射光的頻率)。當光子能量等於或大於逸出功時才能產生外光電效應。因此每一種物體都有一個對應於光電效應的光頻閾值，稱為紅限頻率。對於紅限頻率以上的入射光，外生光電流與光強成正比。內光電效應又分為光電導效應和光生伏應兩類。光電導效應是指，半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低於禁帶寬度的光子的激發而躍遷到導帶，從而增加電導率的現象。能量對應於禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產生一定方向電動勢的現象。

工作原理詳細信息與反射鏡保持距離（雙透鏡係統）

開關距離0.03 m ... 6 m 1)

光源PinPoint-LED 2)

光源種類可見紅光

光斑尺寸（距離）Ø 8 mm (350 mm)

感應距離0.07 m ... 5 m 1)

偏振過濾器是

光生伏打效應又可分為勢壘效應(結光電效應)和側向光電效應。勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(或在PN結)中，電子受光子的激發脫離勢壘(或禁帶)的束縛而產生電子空穴對，在阻擋層內電場的作用下電子移向 N區外側，空穴移向 P區外側，形成光生電動勢。側向光電效應是當光電器件敏感麵受光照不均勻時，受光激發而產生的電子空穴對的濃度也不均勻，電子向未被照射部分擴散，引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現象。

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